Persamaan Transistor S8050 dan S8550

Soldiradem blog - Persamaan transistor S8050 dan S8550 biasanya terdapat pada rangkaian regulator AC matic dan juga kadang digunakan dalam rangkaian audio. Jika tidak memiliki stok, jangan khawatir karena transistor ini memiliki persamaan dengan beberapa tansistor NPN dan PNP lainnya. 

Data site S8050 (NPN) dan S8550 (PNP)

Persamaan Transistor S8050 (NPN)

Data Pin kaki transistor 

1. Emitter

2. Basis

3. Collector

Fitur S8050 (NPN)

• Tegangan Rendah, Transistor NPN Arus Tinggi
• Transistor Sinyal Kecil
• Daya Maksimum: 2 Watt
• Penguatan Arus DC Maksimum (hFE) adalah 400
• Continuous Collector current (IC) adalah 700mA
• Base- Emitter Voltage (VBE) adalah 5V
• Collector-Emitter Voltage (VCE) adalah 20V
• Collector-Base Voltage (VCB) adalah 30V
• Tinggi Digunakan dalam konfigurasi dorong-tarik penguat Kelas B.
• Tersedia dalam Paket To-92

Transistor pengganti S8050

• S9014, MPSA42, SS8050, BC547, 2N3904, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, BD139

Persamaan Transistor S8050

• 2N5830, S9013

Deskripsi Singkat tentang S8050

S8050 adalah transistor NPN sehingga kolektor dan emitor akan dibiarkan terbuka (bias terbalik) ketika pin dasar ditahan di ground dan akan ditutup (bias maju) ketika sinyal diberikan ke pin dasar. Ini memiliki nilai keuntungan maksimum 400; nilai ini menentukan kapasitas amplifikasi transistor biasanya S8050. Karena sangat tinggi biasanya digunakan untuk tujuan amplifikasi. Namun pada arus kolektor operasi normal, nilai gain yang umum adalah 110. Jumlah arus maksimum yang dapat mengalir melalui pin Collector adalah 700mA, oleh karena itu kita tidak dapat menggerakkan beban yang mengkonsumsi lebih dari 700mA menggunakan transistor ini. Untuk membiaskan transistor, kita harus menyuplai arus ke pin basis, arus ini (IB) harus dibatasi hingga 5mA.

Ketika transistor ini sepenuhnya bias maka dapat memungkinkan maksimum 700mA mengalir melintasi kolektor dan emitor. Tahap ini disebut Wilayah Saturasi dan tegangan tipikal yang diizinkan melintasi Collector-Emitter (VCE) atau Collector-Base (VCB) masing-masing bisa 20V dan 30V. Ketika arus basis dilepas transistor menjadi mati penuh, tahap ini disebut sebagai Daerah Cut-off.

Persamaan transistor S8550 (PNP)

Data PIN Kaki 

1. Emitor

2. Basis 

3.Collektor

Fitur transistor S8550

• Tegangan Rendah, Transistor PNP Arus Tinggi
• Continuous Collector current (IC) adalah 500mA
• Tegangan Collector-Emitter (VCEO) adalah -25 V
• Tegangan Collector-Base (VCB0) adalah -40V
• Tegangan Basis Emitor (VBE0) adalah -5V
• Penguatan Saat Ini (hFE), 85 hingga 300
• Biasa digunakan sebagai transistor Push-pull Kelas B.

Transistor Pengganti S8550

• BC527, KSA708, MPS750

Persamaan Transistor S8550

• BC557 , 2N3906 , A1015, 2SA1943, BD140

Penjelasan Singkat tentang Transistor S8550

S8550 adalah transistor PNP sehingga kolektor dan emittor akan dibiarkan terbuka (bias terbalik) ketika pin dasar ditahan di ground dan akan ditutup (bias maju) ketika sinyal diberikan ke pin dasar. Ini memiliki nilai keuntungan maksimum 300; nilai ini menentukan kapasitas amplifikasi transistor biasanya S8550. Karena sangat tinggi biasanya digunakan untuk tujuan amplifikasi.

Ketika transistor ini sepenuhnya bias maka dapat memungkinkan maksimum 700mA mengalir melintasi kolektor dan emitor. Tahap ini disebut Wilayah Saturasi dan tegangan tipikal yang diizinkan melintasi Collector-Emitter (VCE) atau Collector-Base (VCB) masing-masing bisa 20V dan 30V. Ketika arus basis dilepas transistor menjadi mati penuh, tahap ini disebut sebagai Daerah Cut-off.

Sumber: components101.com